功率半導體發光二極管芯片技術規范：檢驗方法、檢驗規則、包裝運輸儲存

時間：2021/07/26 點擊量：423

4 檢驗方法

4.1 測試條件

4.1.1 標準大氣條件本標準中規定的試驗應在 GB/T4937.1—2006中規定的標準大氣條件下進行。

4.1.2 加電工作條件加電工作條件按規定。

4.1.3 試驗條件和方法如無特殊規定,應按照IEC60749規定的條件和方法進行試驗,如經試驗證明由替代的方法進行檢驗合格的產品用規定的方法檢驗也合格,則也可以用替代方法檢驗。進行探針測試時,應按SJ/T11399—2009中4.1的規定。

4.2 結構

4.2.1 外形尺寸按附錄 A 規定的方法進行檢驗,使用準確度符合要求的量具測量芯片的尺寸,應符合3.2.2 的規定。

4.2.2 鍵合區按附錄 A 規定的方法進行檢驗,應符合3.2.3的規定。

4.3 外觀質量 按附錄 A 規定的方法進行檢驗,應符合附錄 A 中的規定。

4.4 光電特性

4.4.1 正向電壓按照SJ/T11394—2009中規定的方法測量正向電壓,應符合3.4.2.1的規定。

4.4.2 反向電流按照SJ/T11394—2009中規定的方法測量反向電流,應符合3.4.2.2的規定。

4.4.3 光功率或光通量按照SJ/T11399—2009中規定的方法測量光功率或光通量,應符合3.4.2.3的規定。

4.4.4 主波長或峰值發射波長按照SJ/T11394—2009中規定的方法測量主波長或峰值發射波長,應符合3.4.2.4的規定。

4.5 環境適應性

4.5.1 鍵合強度鍵合強度試驗按IEC60749-22:2002的規定進行,應符合3.5.1的規定。

4.5.2 剪切力剪切力試驗按IEC60749-19:2010的規定進行,應符合3.5.2的規定。

4.5.3 溫度循環溫度循環試驗按 GB/T2423.22—2012的規定進行,試驗后符合3.5.3的規定。

4.5.4 循環濕熱循環濕熱試驗按 GB/T2423.4—2008的規定進行,試驗后符合3.5.4的規定。

4.5.5 恒定加速度(僅適用于空腔封裝器件) 恒定加速度試驗按 GB/T2423.15—2008的規定進行,試驗后符合3.5.5的規定。

4.6 電耐久性 施加規定的工作電壓,到規定的時間后,去掉工作電壓,試驗后符合3.6的規定。

4.7 靜電放電敏感度 按照SJ/T11394—2009中規定的方法進行人體模式靜電放電敏感度和/或機器模式靜電放電敏感度分級試驗,試驗后性能參數符合詳細規范的規定。

5 檢驗規則

5.1 檢驗職責 由鑒定機構批準的試驗室或承制方的檢驗、試驗部門負責執行本標準規定的全部檢驗。

5.2 檢驗分類 本標準規定的檢驗分為:

a) 篩選(見5.6);

b) 鑒定檢驗(見5.7);

c) 質量一致性檢驗(見5.8)。

5.3 批的組成

5.3.1 晶圓批從晶圓加工開始,經受同一組工藝過程的晶圓構成一個晶圓批。每個晶圓批應給定一個能追溯到所有晶圓加工步驟的識別代碼。

5.3.2 檢驗批一個檢驗批由同時提交檢驗的一個或多個晶圓批中同一型號的芯片組成。

5.4 抽樣 鑒定檢驗和質量一致性檢驗的抽樣應按本標準和相關詳細規范的規定進行。

5.5 重新提交 當提交鑒定檢驗不符合要求時,應重新進行鑒定檢驗。當質量一致性檢驗的任一檢驗批不符合要求時,應進行失效分析并確定失效機理。如確認該失效是可以通過對整批晶圓的芯片重新篩選而有效剔除的缺陷;或者該失效并不反映產品具有基本設計或基本生產工藝問題的缺陷,則允許對該分組采用加嚴檢驗(按雙倍樣品量及合格判定數為零的方案)重新提交一次。重新提交的批不得與其他的批相混。如果失效分析表明失效是由于基本工藝程序不良、基本設計缺陷或是無法通過篩選剔除的缺陷,則該批不得重新提交。

5.6 篩選 在提交鑒定檢驗和質量一致性檢驗前,檢驗批的全部芯片應按表3的規定進行篩選,篩選可在晶圓上進行,對不符合要求的芯片進行標識,并在芯片分離時剔除。剔除的芯片不能作為合格產品交貨。

表 3 篩選

5.7 鑒定檢驗 鑒定檢驗應在鑒定機構批準的試驗室按表4、表5和表6規定的檢驗項目和要求進行。

5.8 質量一致性檢驗

5.8.1 通則每一檢驗批的芯片在交付前應按本標準的規定進行質量一致性檢驗。質量一致性檢驗包括 A 組檢驗、B組檢驗和 C組檢驗,A 組檢驗和 B組檢驗為逐批檢驗,C組檢驗為周期檢驗。在 C組檢驗合格的周期內,A 組檢驗和 B組檢驗合格的批可以交付,在 C 組檢驗不合格的情況下應停止交付,待按5.5 規定對 C組重新檢驗合格后方可恢復交付。

5.8.2 A組檢驗從篩選合格的檢驗批中隨機抽取芯片,按表4的規定進行 A 組檢驗。各分組的測試可按任意順序進行。

表 4 A組檢驗(逐批)