國內(nèi)SiC襯底供應(yīng)，又有新進(jìn)展

時(shí)間：2022/01/10    點(diǎn)擊量：127

近日，露笑科技在接收機(jī)構(gòu)調(diào)研的時(shí)候表示，公司6英寸碳化硅襯底晶片已形成銷售，目前主要針對下游SBD應(yīng)用場景。國內(nèi)針對MOS應(yīng)用的6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片2022Q2之前都會(huì)是送樣認(rèn)證階段。未來碳化硅成本下降后可實(shí)現(xiàn)對硅基功率器件的廣泛替代。
他們進(jìn)一步指出公司有研發(fā)8寸片計(jì)劃安排，目前所有設(shè)備都是6-8寸片兼容。切磨拋設(shè)備布局與Wolfspeed同步。較長時(shí)間內(nèi)，國內(nèi)碳化硅導(dǎo)電襯底片還處于供不應(yīng)求的狀況。公司22Q2開始可實(shí)現(xiàn)每月數(shù)千片的供貨能力。

發(fā)展碳化硅，襯底是關(guān)鍵

電動(dòng)車、5G基建帶動(dòng)功率元件需求，第3代半導(dǎo)體具重要地位，中國、美國等主要國家紛紛政策推動(dòng)，海內(nèi)外企業(yè)也爭相投入。產(chǎn)業(yè)分析師表示，碳化硅襯底是發(fā)展最大關(guān)鍵。
中國臺(tái)灣工研院產(chǎn)科國際所研究總監(jiān)楊瑞臨說，第3代半導(dǎo)體近年成為各國政府與產(chǎn)業(yè)界關(guān)注的熱門焦點(diǎn)，主要有3個(gè)催化劑。第一是美國電動(dòng)車大廠特斯拉（Tesla）搶先采用第3代半導(dǎo)體碳化硅（SiC），讓SiC元件得以實(shí)際發(fā)揮散熱性佳，及提高電動(dòng)車?yán)m(xù)航力等特色。
第二是全球環(huán)保意識(shí)抬頭，各國政府為達(dá)到碳中和、凈零碳排，紛紛訂定淘汰燃油車的時(shí)間表，促使車廠加速轉(zhuǎn)進(jìn)電動(dòng)車。第三是中國為記取硅基半導(dǎo)體受制于美國的教訓(xùn)，政策大力支持發(fā)展第3代半導(dǎo)體。
有別于中國砸錢補(bǔ)貼的作法，楊瑞臨表示，美國政府推動(dòng)的基建計(jì)劃中將大舉建置充電樁，這將為第3代半導(dǎo)體SiC創(chuàng)造市場。
第3代半導(dǎo)體是以SiC及氮化鎵（GaN）為主要材料，有別于第1代半導(dǎo)體以硅（Si）、鍺（Ge）為主要材料，及第2代半導(dǎo)體以砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、鋁砷化鎵（AlGaAs）為主要材料。
楊瑞臨指出，在高功率應(yīng)用方面，第3代半導(dǎo)體具備寬能隙、耐高溫和高功率密度等特性；在高頻應(yīng)用方面，具備低能耗